WebClub - Всероссийский Клуб Веб-разработчиков
WebClub.RU » Железо » Samsung ведет разработку DRAM с расширенным I/O-интерфейсом

Samsung ведет разработку DRAM с расширенным I/O-интерфейсом


Дата публикации: 22-07-2013

Сегодня компания Samsung объявила о разработке нового модуля DRAM с расширенным I/O-интерфейсом на основе 50 нм технологий. Новая память будет интегрирована в мобильные устройства, такие как смартфоны и планшетные компьютеры.

Пропускная способность расширенного модуля I/O mobile DRAM 1Gb составляет 12,8 Гб/с, что в восемь раз превышает показатели мобильной памяти DDR DRAM (1.6Гб/с). Это позволило на 87% снизить потребляемую мощность. Согласно предоставленным данным новинка вчетверо превосходит LPDDR2 DRAM (3.2Гб/с).

Для увеличения скорости передачи данных было использовано 512 контактов ввода и вывода. Прошлое поколение модулей насчитывало не более 32-х. Если учитывать другие контакты управления командами и питанием, то их количество может насчитывать 1200 штук.

Источник: Аkihabaranews.com

Домен продается

Популярное

Не так давно в сети появился новый сервис, под названием Dead Man Zero. Этот сервис сделал...
Рынок социальных площадок уже давно стал стабильным. Несмотря на то, что время от времени...
Artisteer 4 – единственный в своем роде продукт, позволяющий автоматизировать работу над созданием...
Август 2024 (1)
Май 2024 (1)
Апрель 2024 (1)
Октябрь 2018 (14)
Февраль 2017 (3)
Январь 2017 (1)

Карта сайта: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41

Друзья сайта



Случайная цитата

Неизвестный автор:

"ВКонтакте – место для лжи знакомым людям. Твиттер – место для выкладывания правды незнакомцам."

Опрос

Как Вам новый дизайн сайта?

Отлично
Неплохо
Нормальный
Ужасно