Сегодня компания Samsung объявила о разработке нового модуля DRAM с расширенным I/O-интерфейсом на основе 50 нм технологий. Новая память будет интегрирована в мобильные устройства, такие как смартфоны и планшетные компьютеры.

Пропускная способность расширенного модуля I/O mobile DRAM 1Gb составляет 12,8 Гб/с, что в восемь раз превышает показатели мобильной памяти DDR DRAM (1.6Гб/с). Это позволило на 87% снизить потребляемую мощность. Согласно предоставленным данным новинка вчетверо превосходит LPDDR2 DRAM (3.2Гб/с).

Для увеличения скорости передачи данных было использовано 512 контактов ввода и вывода. Прошлое поколение модулей насчитывало не более 32-х. Если учитывать другие контакты управления командами и питанием, то их количество может насчитывать 1200 штук.

Источник: Аkihabaranews.com