Компания Samsung еще в начале года объявила о том, что создала первый модуль памяти типа DDR4, а теперь южнокорейского гиганта обошла Hynix Semiconductor. Инженеры компании, получив промышленный образец 30-нм DDR4, не стали останавливаться на достигнутом, а создали новейший модуль памяти.

Объем памяти модуля Hynix достигает 2 Гб, использует формат — SODIMM, и имеет встроенную функцию ECC — проверки и коррекции ошибок. Предназначена новинка для использования в микросерверах.

Представитель компании сообщает, что их модуль преодолевает рубеж в 2400 МГц при уровне питания в 1,2 В (у Samsung рубеж 2133 МГц). Пропускная способность разработанного модуля находится на уровне 19,2 Гбайт/с.

Запуск массового производства намечен лишь на 2012 год, а пока проще купить сейф чем даный модуль памяти.

Представитель совета директоров, Джибум Ким, сообщает что компания готовит широкий ассортимент разработанных модулей памяти для использования не только в сегменте микросерверов, но и для настольных ПК, и рынка планшетов.

Источник: www.techpowerup.com